Пер. с немецкого с дополненным обзором "Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии полупроводников" Г.Н.Фурсея и О.И.Львова
В обзоре Р. Фишера и X. Ноймана изложены основы теории автоэмиссии полупроводников n-типа с учетом особенностей их зон- ной структуры. Приводятся выражения для плотности эмиссионного тока и энергетического распределения автоэлектронов, рассматривается влияние поверхностных состояний на автоэмиссию. Вторую, экспериментальную, часть обзора составляют результаты исследования поверхности полупроводников методами автоэлектронной и автоионной микроскопии, вольтамперных характеристик и энергетических спектров эмиттируемых электронов.
В обзоре Г. Н. Фурсея и О. И. Львова представлены работы по автоэлектронной эмиссии полупроводников, выполненные после 1965 г. Основное внимание уделено вопросам чистой постановки экспериментов, новым достижениям в развитии автоэлектронной микроскопии и в экспериментальном изучении основных эмиссионных характеристик. Вторая часть обзора посвящена теоретическому исследованию механизма автоэлектронной эмиссии полупроводников. Подробно анализируется приближение "нулевого тока" в теории и особенности эмиссии, возникающие при его нарушении.
Рис. 123, табл. 11, библ. 373 назв.
Дополнительно: При заказе от 1500 р. отправка Почтой России бесплатно.
При заказе от 5000 р. разовая скидка 15% и отправка Почтой России бесплатно.
За пределы РФ книги не высылаю
Встречи по договоренности исключаются.
)
хорошее;
В продаже с 03.04.2020
